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  • GWST-1000高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜
    GWST-1000高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜

    GWST-1000型高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜,塊體功能)是為了更方便的研究在高溫條件下的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能,該系統(tǒng)可以*實(shí)現(xiàn)在高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子層的方塊電阻及測(cè)量其他方塊電阻。

    更新時(shí)間:2024-11-06型號(hào):GWST-1000瀏覽量:1350
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  • HTRS-1000型高溫半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀
    HTRS-1000型高溫半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀

    HTRS-1000型高溫半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試,該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率,可以分析被測(cè)樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(zhǎng)條等測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試,可以廣泛用于半導(dǎo)體材料硅(si)、鍺(ge),化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb),三元化合物半導(dǎo)

    更新時(shí)間:2024-11-06型號(hào):HTRS-1000型瀏覽量:1212
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  • HTIM-1000高溫絕緣材料電阻率測(cè)試儀
    HTIM-1000高溫絕緣材料電阻率測(cè)試儀

    HTIM-1000高溫絕緣材料電阻率測(cè)試儀/GB-T10581-2006絕緣材料在高溫下電阻和電阻率主要用于評(píng)估測(cè)量絕緣材料電學(xué)性能,該系統(tǒng)采用三環(huán)電極法設(shè)計(jì)原理并結(jié)合GB-T 10581-2006 絕緣材料在高溫下電阻和電阻率試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),可以直接測(cè)量高溫、真空、氣氛條件下樣品的電阻和體電阻率、漏電流等隨溫度、時(shí)間變化的曲線,高溫絕緣材料電阻率測(cè)試儀系統(tǒng)已經(jīng)在航天航空傳感器領(lǐng)域得到很好的

    更新時(shí)間:2024-11-06型號(hào):HTIM-1000瀏覽量:1172
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  • PRPM-1000熱釋電系數(shù)高溫測(cè)試系統(tǒng)
    PRPM-1000熱釋電系數(shù)高溫測(cè)試系統(tǒng)

    PRPM-1000熱釋電系數(shù)高溫測(cè)試系統(tǒng) 關(guān)鍵詞:熱釋電,激光,紅外 熱釋電材料目前主要用于紅外、激光等熱釋電探測(cè)領(lǐng)域,也廣泛地使用在各類輻射計(jì),光譜儀,以及紅外、激光探測(cè)器等方面。而熱釋電系數(shù)是測(cè)定紅外探測(cè)器工作特性的主要參數(shù)之一。PRPM-1000熱釋電系數(shù)高溫測(cè)試系統(tǒng)采用高精度進(jìn)口的設(shè)備采集分析數(shù)據(jù),對(duì)熱釋電系數(shù)能夠準(zhǔn)確的測(cè)試.

    更新時(shí)間:2024-11-06型號(hào):PRPM-1000瀏覽量:1313
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