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2019-09-12
+2019-08-12
+品牌 | ACE/美國(guó) | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,冶金,航天,汽車(chē),電氣 |
BKTEM-B2薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
關(guān)鍵詞:薄膜熱電,賽貝克系數(shù),Seebeck,四線法
為解決日益緊迫的能源危機(jī),太陽(yáng)能、風(fēng)能、核能等多種新能源不斷被開(kāi)發(fā)利用。新能源的使用需要優(yōu)質(zhì)的節(jié)能材料。利用熱電材料制成的制冷和發(fā)電系統(tǒng),具有體積小、重量輕、無(wú)任何機(jī)械噪音、不造成任何環(huán)境污染等眾多優(yōu)點(diǎn)。因此對(duì)熱電材料的研究非常重要。為了進(jìn)一步提高熱電材料的轉(zhuǎn)化效率(熱電優(yōu)值),對(duì)其研究從塊體慢慢轉(zhuǎn)移到薄膜材料。
技術(shù)原理
動(dòng)態(tài)法:測(cè)量 Seebeck 系數(shù)
在待測(cè)溫場(chǎng)下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差,通過(guò)記錄樣品兩端溫差和熱電勢(shì)的變化,
然后將溫差和熱電勢(shì)擬合成一條直線,直線斜率即為該材料在該溫場(chǎng)下的 Seebeck 系數(shù)。
采用四線法測(cè)量電阻率。 硬件特點(diǎn)
? 專(zhuān)門(mén)針對(duì)薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測(cè)量。
? 采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測(cè)量在溫差測(cè)量上的系統(tǒng)誤差,測(cè)量更準(zhǔn)確。
? 采用四線法測(cè)量電阻率,測(cè)量更加穩(wěn)定可靠。
薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
技術(shù)原理
動(dòng)態(tài)法:測(cè)量 Seebeck 系數(shù)
在待測(cè)溫場(chǎng)下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差,通過(guò)記錄樣品兩端溫差和熱電勢(shì)的變化,
然后將溫差和熱電勢(shì)擬合成一條直線,直線斜率即為該材料在該溫場(chǎng)下的 Seebeck 系數(shù)。
采用四線法測(cè)量電阻率。 硬件特點(diǎn)
專(zhuān)門(mén)針對(duì)薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測(cè)量。
采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測(cè)量在溫差測(cè)量上的系統(tǒng)誤差,測(cè)量更準(zhǔn)確。
?采用四線法測(cè)量電阻率,測(cè)量更加穩(wěn)定可靠。
1. 實(shí)現(xiàn)功能:在室溫溫場(chǎng)下可同步測(cè)量Seebeck系數(shù)和電阻率;
2. 電勢(shì)測(cè)量:采集系統(tǒng)采用商業(yè)高分辨數(shù)字萬(wàn)用表;
3. 溫差測(cè)量:溫差精度控制:+/-0.1K,控溫速率:0.02–50K/min;溫差控制:0-80K ;
4. Seebeck系數(shù)和電阻測(cè)量方法:Seebeck系數(shù)-靜態(tài)直流法, 多溫差法,電阻率-四端法;
5. Seebeck系數(shù)測(cè)量范圍和分辨率:1μV/K-25V/K;測(cè)量分辨率:10nV/K;
6. 電阻率測(cè)量范圍和分辨率:0.2μO(píng)hmm-2.5Ohmm;測(cè)量分辨率:10nOhmm;
7. 測(cè)量精度:Seebeck 系數(shù) : +/- 7%,電阻率 : +/- 10%;
8. 樣品尺寸:直徑或正方形 6-12mm,長(zhǎng)度6-22mm,正反面電極均可;
9. 探頭測(cè)試間距:6, 8 mm,任選一種;
10. 外接電源:?jiǎn)蜗?20V ,50Hz;
11. 軟件:圖形化界面, windows 菜單,數(shù)據(jù)采集;加熱恒溫降溫溫度程序化設(shè)計(jì);易于操作的菜單設(shè)計(jì),測(cè)量結(jié)果可以txt,EXC