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  • SCD-1500型半導(dǎo)體C-V特性分析儀
    SCD-1500型半導(dǎo)體C-V特性分析儀

    SCD-1500型半導(dǎo)體C-V特性分析儀創(chuàng)新性地采用了雙CPU架構(gòu)、Linux底層系統(tǒng)、10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界面、內(nèi)置使用說明及幫助等新一代技術(shù),適用于生產(chǎn)線快速分選、自動(dòng)化集成測試及滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及分析。半導(dǎo)體C-V特性分析儀測試頻率為10kHz-2MHz,VGS電壓可達(dá)±40V,足以滿足二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體件CV特性測試分析。

    更新時(shí)間:2025-04-21型號(hào):瀏覽量:1119
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  • WLRYJ-300型微流控芯片真空熱壓機(jī)
    WLRYJ-300型微流控芯片真空熱壓機(jī)

    WLRYJ-300型微流控芯片真空熱壓機(jī)是一款應(yīng)用于PMMA、PC、PP、COP、COC、BOPET、CBC、樹脂(部分)、聚乙烯(部分)等硬質(zhì)塑料芯片的鍵合,是硬質(zhì)塑料微流控芯片加工專用設(shè)備。 基于MEMS技術(shù)制備的微流控芯片,其表面多種微結(jié)構(gòu)(微通道、微儲(chǔ)液池、微孔等)需要經(jīng)過鍵合形成密封的微流路才能用于微流控分析。熱壓鍵合的原理是,通過外部壓力使得工件表面緊密結(jié)合,依靠氫鍵形成初步鍵合,當(dāng)

    更新時(shí)間:2025-04-21型號(hào):瀏覽量:972
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  • JYJC-3型絕緣及抗靜電材料電阻率儀(三環(huán)電極法)
    JYJC-3型絕緣及抗靜電材料電阻率儀(三環(huán)電極法)

    JYJC-3型絕緣及抗靜電材料電阻率及表面電阻測試儀是一款針專門用于絕緣及抗靜電材料電阻率及表面電阻測試裝置,采用環(huán)形三電極測試可以勝任于防靜電產(chǎn)品(防靜電鞋、防靜電塑料橡膠制品、計(jì)算機(jī)房防靜電活動(dòng)地板等)電阻值的檢測;材料體電阻(率)和表面電阻(率)測量,是目前電阻率及表面電阻測試的重要材料測試設(shè)備。 一、主要應(yīng)用領(lǐng)域: 1、防靜電橡膠電阻率及表面電阻 2、絕緣防靜電塑電阻率及表面電阻

    更新時(shí)間:2025-04-21型號(hào):瀏覽量:1627
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  • JWDL-1型金屬電阻率測試儀(銅,導(dǎo)電薄膜)
    JWDL-1型金屬電阻率測試儀(銅,導(dǎo)電薄膜)

    JWDL-1型金屬電阻率測試儀是一款針對(duì)于不同金屬材料電阻測試的專業(yè)設(shè)備,不管是銅金屬材料,導(dǎo)電金屬箔材,金屬片等,柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層都可以采用這款設(shè)備,金屬電阻率測試方案核心原則:一是可以用專門測試金屬材料電阻率的鎢針探頭,二是要知道金屬材料的測試范圍能夠更好的為你選配四探針測試儀。金屬材料屬于硬質(zhì)材料,必須要選擇碳化鎢針探頭,這種探

    更新時(shí)間:2025-04-21型號(hào):瀏覽量:1650
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  • DRJS-2型電容器金屬化膜測試儀(平行刀法)
    DRJS-2型電容器金屬化膜測試儀(平行刀法)

    DRJS-2型電容器金屬化膜測試儀是一款專門應(yīng)用于電容器薄膜測試的設(shè)備, PET薄膜上金屬化膜,真空鍍膜和噴鍍工藝形成,金屬膜厚度極薄,附著力差,容易脫落。 薄膜專用測試探頭自帶彈簧收縮功能,很好的解決了金屬膜的測試弱點(diǎn),自主研發(fā)的高精準(zhǔn)度測試儀和專用型測試臺(tái)搭配,測試探頭測采用最新的平行四刀法,讓樣品測試數(shù)據(jù)更穩(wěn)定,重復(fù)性更好。 DRJS-2型電容器金屬化膜測試儀是目前納米材料和柔性材料研究的重

    更新時(shí)間:2025-04-21型號(hào):瀏覽量:1358
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  • WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置
    WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

    晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,其形狀為圓形;晶圓高溫測試是集成電路行業(yè)一道重要制程,通過嚴(yán)格的高溫測試可以預(yù)先剔除不良芯片,降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測試精度,要求整個(gè)吸盤表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),最大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

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